万亿次：三层面并进

多核万亿次计算包括计算、存储和通信三个层面。从技术角度看，为支持新兴的数据密集型应用，万亿次计算的I/O带宽要扩展到100Gbps以上，这意味着每个通道应超过10Gbps。提升I/O通道速度要求精确时钟为传输和接收数据计时，不仅大量耗能，而且需要足够空间容纳滤波元件和复杂电路，以减轻噪音干扰。英特尔这次展示的一款试验芯片实现了每链接高达27Gbps的数据链路。它通过简化电路，省去了部分过滤元件，却能过滤时序噪音。据测算，在20Gbps速率上，该芯片实现了1.6mW/Gbps的高佳能效。

破除万亿次计算的内存带宽限制也十分值得关注。应用分析表明，未来万亿级计算是在多个内核上运行多线程，对内存带宽要求极高。当前情况是，片上SRAM速度高，但代价过于昂贵；DRAM密度虽高，但速度较慢，且受限于制造程序，不能片上集成。尽管通过3D堆叠，DRAM可以与处理器紧密结合，但仍与片上存储速度有一定差距。为此，英特尔设计了新型集成DRAM内存，为获得更快的片上内存并提高应用性能提供了新选择。该内存与其他动态内存一样需要定期刷新，能提供相当于片上SRAM两倍的内存密度和比DRAM快得多的速度，在2GHz频率时，其带宽可达128GB/s。

新知概览

ISSCC 2008是最新集成电路技术的发表平台，以下就是其中重要成果的典型代表。

多频带无线通信

2010年有望达到实用水平

东芝开发出使新一代手机等多频带无线通信产品降低成本、缩小体积的射频器件，力争2010年达到实用水平。未来，同一部手机支持多频带将成为主流，该器件就是为了实现通过一片电路支持多个频带。目前，对MEMS(微机电系统)部分的封装技术已开发完成。

3bit／单元NAND

数据写入速度可达8MB／s

SanDisk和东芝发布采用3bit／单元的NAND。值得注意的是，其写入传输速度为8MB／s。一般来说，将2bit／单元产品的现有电路技术应用于3bit／单元产品时，写入速度会降至3MB／s左右，而该新产品则将写入速度提高到了8MB／s。

时钟数据恢复电路

突破40Gb／s光通信瓶颈

NEC宣布开发出支持40Gb／s光通信的时钟数据恢复电路。通过该电路，将有望大幅提高40Gb／s光通信系统的接收性能和传输距离，此前光通信受复杂波形失真限制。另外，通过其自动调整功能，还可减轻装置的调整及维护负担，有利于降低系统成本。

新材料RFID

通信速度较以往提高5倍以上

比利时研究机构IMEC和荷兰TNO发表了集成414个有机半导体材料，采用并五苯TFT构成的逻辑电路，使RFID的通信距离达到10cm，能以约780bit／s的数据传输速度读取数据，该速度比原来的有机RFID高5倍以上，其性能已接近实用水平。

宽动态范围传感器

明暗对比1000万倍也能拍

松下开发出使MOS图像传感器动态范围达到1000万倍的电路技术，在明暗比(动态范围)达到140dB(1000万倍)的场景下，被摄体也可以被鲜明地拍摄成像。而目前主流图像传感器的动态范围多在60dB(1000倍)左右。该传感器主要用于车载或监控摄像头等。